fanavaran
آخرین اخبار
سرویس های خبری
یادداشت سرویس
اخبار برگزیده سرویس
گفت و گوی سرویس
گزارش سرویس
{#foreach $T.table as record}{#/for}
کد خبر : 52724
تاریخ انتشار : 13 خرداد 1393 11:45

تولید فلش های سه بعدی سامسونگ در چین

سامسونگ الکترونیک ساخت حافظه سه بعدی با نام 3D V-NAND را در کشور چین آغاز کرده است.

فناوران- این حافظه های سه بعدی 32 لایه دارند و هر تراشه ی آن ظرفیتی معادل 128 گیگابایت دارد.
 به گفته «جونگ هیوک چوی» مدیر بخش تکنولوژی و حافظه های فلش شرکت سامسونگ، این محصول حاصل سال ها تلاش متخصصان برای حرکت فراتر از روش های متعارف است و نوآوری هایی را با هدف غلبه بر محدودیت های این عرصه معرفی می کند. از ویژگی های شاخص این حافظه های سه بعدی، قابلیت حفاظت از اطلاعات تا پنج برابر بیشتر در مقایسه با نسل قبلی یعنی حافظه های دو بعدی (2D-NAND) است. همچنین در این نوع فلش، سرعت ثبت اطلاعات و بازیابی آن دو برابر افزایش یافته است. از دیگر ویژگی های مهم حافظه های سه بعدی می توان به بهبود 40 درصدی عملکرد مصرف انرژی و عمر باتری اشاره کرد.
خط تولید حافظه سه بعدی در یک مجتمع صنعتی در شهر «ژیان» چین که نقطه شروع جاده ی ابریشم است، قرار دارد و ساخت آن 20 ماه به طول
انجامیده است. سامسونگ تصمیم دارد تا آخر امسال این مجتمع صنعتی را که شامل تکنولوژی، مونتاژ و خط آزمایش نیز هست، تکمیل کند.



سامسونگ‌الکترونیک فلش‌ سه بعدی سامسونگ 3D V-NAND فناوران- این حافظه‌های سه بعدی 32 لایه دارند و هر تراشه‌ی آن ظرفیتی معادل 128 گیگابایت دارد. به گفته‌ «جونگ هیوک چوی» مدیر بخش تکنولوژی و حافظه‌های فلش شرکت سامسونگ این محصول حاصل سال‌ها تلاش متخصصان برای حرکت فراتر از روش‌های متعارف است و نوآوری‌هایی را با هدف غلبه بر محدودیت‌های این عرصه معرفی می‌‌کند. از ویژگی‌های شاخص این حافظه‌های سه بعدی قابلیت حفاظت از اطلاعات تا پنج برابر بیشتر در مقایسه با نسل قبلی یعنی حافظه‌های دو بعدی (2D-NAND)
نظر شما



نمایش غیر عمومی