آخرین اخبار
facebook Telegram RSS ارسال به دوستان نسخه چاپی
کد خبر : 80748
تاریخ انتشار : 24 مرداد 1394 17:1
تعداد بازدید : 770

ساخت حافظه های فلش پرظرفیت برای گوشی ها

طراحی حافظه های جدید فلاش 256 گیگابیتی از نوع NAND توسط سامسونگ آغاز شده است. این حافظه ها دارای 48 لایه سه بیتی در سطوح مختلف هستند.


 خبرگزاری فارس- با افزایش چگالی این حافظه ها می توان ظرفیت شان را در آینده بیشتر کرد. علاوه بر سامسونگ، توشیبا، سن دیسک، اینتل و میکرون هم در تلاش برای طراحی حافظه های جدید NAND هستند و همگی قصد دارند این حافظه ها را با قیمت های رقابتی عرضه کنند.
سامسونگ چندی قبل تراشه های دو ترابایتی را برای گوشی های هوشمند روانه بازار کرد و امیدوار است فناوری جدید ساخت این تراشه ها را با هزینه کمتر و ابعاد مناسب ممکن کند.
این تراشه ها از خانواده 3D NAND و موسوم به 3D V-NAND هستند و داده ها در آنها به طور عمودی و به جای 32 لایه در 48 لایه ذخیره می شوند. لایه های حافظه های مذکور از طریق 8/1 میلیارد حفره ارتباطی با یکدیگر در ارتباطند و در نهایت 3/85 میلیارد سلول وظیفه ذخیره سازی 256 میلیارد بیت اطلاعات را بر عهده دارند. به بیان دیگر 256 گیگابیت داده روی تراشه ای به اندازه سر انگشت ذخیره می شوند. استفاده از این فرایند 48 لایه موجب کاهش 30 درصدی مصرف برق در مقایسه با تراشه های 32 لایه ای می شود. همچنین بهره وری این تراشه ها 40 درصد بیشتر است.


نظر شما



نمایش غیر عمومی
تصویر امنیتی :