آخرین اخبار
facebook Telegram RSS ارسال به دوستان نسخه چاپی
کد خبر : 33698
تاریخ انتشار : 24 شهریور 1392 11:36
تعداد بازدید : 513

با عرضه تراشه‌های کوچک

فناوری ذخیره اطلاعات دگرگون می شود

محققان با استفاده از آلیاژ هم بسته آلومینیوم و انتیموان در نسل آینده دستگاه های حافظه تغییر فاز به زودی فناوری ذخیره اطلاعات را متحول می کنند.

خبرگزاری مهر- آلیاژ همبسته آلومینیوم و انتیموان به عنوان مواد دوستدار محیط زیست می‌توانند استفاده از حافظه تغییر فاز (phase-change memory) را ارتقا دهد، این نوع حافظه موضوع تحقیقات وسیعی بوده تا بتواند گزینه جایگزین حافظه فلش در ذخیره داده‌ها شود. حافظه فلش (flash memory) یک نوع حافظه برای ذخیزه کردن اطلاعاتی است که به طور طولانی مدت استفاده می‌شوند، در مقایسه با انواع حافظه‌ها، حافظه فلش اطلاعات را بدون اتصال به منبع الکتریکی نگه می‌دارد. براساس نتایج این تحقیقات که در مجله مقالات فیزیک کاربردی موسسه فیزیک آمریکا منتشر شده، تراکم ذخیره حافظه در حافظه فلش محدود است و حافظه تغییر فاز می‌تواند با سرعت بیشتری عمل کند. مواد تغییر فاز پس از اعمال یک فاز الکتریکی، به سرعت مختل شده و بی‌نظم به ساختار بلوری تغییر می‌یابند. این ساختار جدید دارای مقاومت بالای الکتریکی در حالت غیربلوری و مقاومت پایین در حالت بلوری خود است.
وقتی حافظه فلش کوچک‌تر از 20 نانومتر شده، عملکرد آن با مشکل مواجه می‌شود، اما یک دستگاه حافظه تغییر فاز می‌تواند کوچک‌تر از 10 نانومتر هم باشد و ظرفیت حافظه آن فشرده شده باشد.
براساس اظهارات زیلین زوو از موسسه میکروسیستم و فناوری اطلاعات شانگهای در آکادمی علوم چین، این ویژگی مهم‌ترین مزیت حافظه تغییر فاز است. اطلاعات به سرعت در حافظه‌های تغییر فاز نوشته می‌شود و چنین دستگاه‌هایی نسبتا ارزان قیمت خواهند بود.


نظر شما



نمایش غیر عمومی
تصویر امنیتی :